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软烤 （半导体相关）
软烤(Softbake):其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂
法拉第杯 （半导体相关）
法拉第杯（FaradayCup），是离子植入机中在植入前用来测量离子束电流的装置
气相沉积 （半导体相关）
气相沉积（VaporPhaseDeposition），一种薄膜沉积的方法，在气态
掺入杂质 （半导体相关）
为使组件运作，芯片必须掺以杂质（)Doping），一般常用的有：预置:在炉管内通
直流溅镀法 （半导体相关）
DCSputtering直流溅镀法脱离电浆的带正电荷离子，在暗区的电场的加速下，
短通道效应 （半导体相关）
短通道效应当MOS组件愈小，信道的长度将随之缩短，电晶体的操作速度将加快，但是，
金属半导体 （半导体相关）
构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MOS(Metal-
原始氧化层 （半导体相关）
当我们把硅芯片暴露在含氧的环境里时，例如氧气或水，芯片表面的硅原子便会进行如下（
旋涂式玻璃 （半导体相关）
旋制氧化硅(SpinonGlass)是利用旋制芯片，将含有硅化物的溶液均匀地平涂
超音波清洗 （半导体相关）
超音波清洗（UltrasonicCleaning），通过超音波原理进行的清洗。超
晶格失配 （半导体术语）
晶格失配，是指由于衬底和外延层的晶格常数不同而产生的失配现象。
蚀刻后检查 （半导体相关）
AEI即AfterEtchingInspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻
热阻体 （半导体制品）
热阻体（thermister）为一种电阻的温度系数极大的半导体制品，其电阻值随温
等向性蚀刻 （半导体相关）
等向性蚀刻在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图)，此种蚀
内存单元 （半导体存储单元）
内存单元一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），
预烧试验 （半导体相关）
Burnin预烧试验「预烧」(Burnin)为可靠性测试的一种，旨在检验出那些在
HPM （半导体相关）
HCl+H2O2+DIWater混合液体的简称，常用来去除移动金属离子。
思智浦 （半导体品牌）
思智浦为品牌，又称思智浦半导体。公司总部位于欧洲，在全球超过25个国家拥有28，
恒定源扩散 （半导体相关）
这个扩散模式，是假设离子在界面上所具备的浓度，并不随扩散的进行而改变。且一直为一
氧化性半导体 （具有半导体特性的一类氧化物）
氧化性半导体具有半导体特性的一类氧化物。氧化性半导体的电学性质与环境气氛有关。导
井区 （半导体相关）
WELL即井区（WELL/Tank）。在IC中的组件MOSFET(即金氧半场效晶
碱金属雕子 （半导体相关）
AlkalineIons碱金属雕子如Na+，K+，破坏氧化层完整性，增加漏电密度
四乙基正硅酸盐 （半导体相关）
四乙基正硅酸盐，含有硅与碳、氢与氧的有机硅源，化学分子式是Si(OC2H5)4，
直流电浆 （半导体相关）
DCPlasma直流电浆电浆是人类近代物化史上重大的发现之一，指的是一个遭受部分
恒定源 （半导体相关）
通常杂质在半导体高温扩散有两种方式:Constant-Surface-Conce
电子迁移可靠度测试 （半导体相关）
电子迁移可靠度测试EM（ElectronMigrationTest）电子迁移可靠
半导体的光电导 （光照射半导体使电导增大的现象）
半导体的光电导（photoconductivity of semiconduct
稀磁性半导体 （磁性半导体）
稀磁性半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体，因
压缩干燥空气 （半导体相关）
CDA压缩干燥空气通常指压力在60到110psi之间的空气，作为控气动阀的领气阀
透明化可弯曲纳米纸 （半导体器件）
上海科学家的一项研究成果，以“纳米纸”为衬底，成功制备出透明、可弯曲、可降解的半
场氧化层 （半导体相关）
FieldOxide场氧化层，Field直译的意思是'场'。如运动场，足球场和武
本征载流子 （本征半导体中的载流子）
本征载流子，就是本征半导体中的载流子（电子和空穴），即不是由掺杂所产生出来的载流
通道阻绝植入 （半导体相关）
通道阻绝植入在集成电路中，各电晶体彼此间则以场氧化层（FOX）加以隔离的，因为场
内层介电材料 （半导体相关）
内层介电材料Inter-LayerDielectrics内层介电材料，简称ILD
绝缘层上有硅 （半导体相关）
绝缘层上有硅SOI'绝缘层上有硅（SOI，SiliconOnInsulator)
硅片传送系统 （半导体相关）
硅片传送系统（WaferTransferSystem）用以实现硅片传送的系统。如
随机存取内存 （半导体相关）
随机存取记忆器可分动态及静态两种，主要的差异在于动态随机存取内存(DRAM)，在
固定氧化层电荷 （半导体相关）
固定氧化层电荷（FixedOxideCharge）位于离Si-SiO2接口30?
P/N型半导体 （半导体相关）
一般金属由于阻值相当低(10-2Ω-cm以下)，因此称之为良导体，而氧化物等阻值
低压化学气相沉积 （半导体相关）
LPCVD的全名是LowPressureChemicalVaporDeposit