您的当前位置：领域 > 半导体 领域
快速热制程 （半导体相关）
RTP(RapidThermalProcessing)与炉管最大的差别是:RTP
HPM （半导体相关）
HCl+H2O2+DIWater混合液体的简称，常用来去除移动金属离子。
闸极氧化层 （半导体相关）
闸极氧化层
闸极 （半导体相关）
闸极
密化 （半导体相关）
Densify密化CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低，故
热电子效应 （半导体相关）
在VLSI的时代，ShortChannelDevice势在必行，而目前一般Cir
电子迁移可靠度测试 （半导体相关）
电子迁移可靠度测试EM（ElectronMigrationTest）电子迁移可靠
通道阻绝植入 （半导体相关）
通道阻绝植入在集成电路中，各电晶体彼此间则以场氧化层（FOX）加以隔离的，因为场
压缩干燥空气 （半导体相关）
CDA压缩干燥空气通常指压力在60到110psi之间的空气，作为控气动阀的领气阀
辅抽泵 （半导体相关）
BackingPump辅抽泵在高真空系统中，要想很快建立我们所需的高真空，单纯靠
扩散式泵 （半导体相关）
扩散式泵通过加热油，油气蒸发高速喷射出去，带出气体分子，达到抽气的目的。它可以达
绝缘层上有硅 （半导体相关）
绝缘层上有硅SOI'绝缘层上有硅（SOI，SiliconOnInsulator)
移动性离子电荷 （半导体相关）
移动性离子电荷一般出现在热氧化层中，主要来自钠及钾等贱金属杂质，影响到氧化层的电
蚀刻后检查 （半导体相关）
AEI即AfterEtchingInspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻
固定氧化层电荷 （半导体相关）
固定氧化层电荷（FixedOxideCharge）位于离Si-SiO2接口30?
光罩 （半导体相关）
Mask光罩在微影的阶段中，必要的线路或MOS电晶体的部分结构，将被印制在一片玻
等向性蚀刻 （半导体相关）
等向性蚀刻在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图)，此种蚀
硅晶圆 （半导体相关）
硅晶圆材料（Wafer）是半导体晶圆厂（Fab）内用来生产硅芯片的材料，依面积大
直流电浆 （半导体相关）
DCPlasma直流电浆电浆是人类近代物化史上重大的发现之一，指的是一个遭受部分
蒸镀 （半导体相关）
蒸镀将我们的蒸镀源放在坩埚里加热，当温度升高到接近蒸镀源的熔点附近。这时，原本处
过氧硫酸清洗 （半导体相关）
过氧硫酸(PeroxymonosulfuricAcid)又称为CARO"saci
质流控制器 （半导体相关）
质流控制器简称MFC,是直接测量气体流量的一种装置，常用在流动气体的控制上。主要
垂直层流 （半导体相关）
VLFVerticalLaminarFlow垂直层流，在流体的流动状态中，可分为
汲极 （半导体相关）
通过掺杂，使其电性与底材P-Si相反的，我们将其称为汲极（Drain）与源极。
空乏型 （半导体相关）
空乏型DepletionMOS操作性质与增强型MOS相反，它的通道不须要任何闸极
BOE （半导体相关）
B.O.E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蚀刻即表示HF:NH
萃取电极 （半导体相关）
Extraction Electrode是离子植入机中用来将Source的Arc
底材 （半导体相关）
一般而言半导体中提及的Substrate就是指Wafer
气体储柜 （半导体相关）
气体储柜（GasCabinet），储存气体钢瓶的柜子，一般是处于负压状态，防止气
气相沉积 （半导体相关）
气相沉积（VaporPhaseDeposition），一种薄膜沉积的方法，在气态
阶梯覆盖能力 （半导体相关）
表征薄膜沉积时对晶片表面上不同几何结构的覆盖能力，简单地说，即膜层均匀性。如下图
磊晶 （半导体相关）
Epitaxy磊晶外延附生：一种矿物的结晶附于另一矿物结晶表面的生长，这样两种矿
离子植入 （半导体相关）
Implant离子植入离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技
MOS （半导体相关）
MOS金属半导体构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MO
掺入杂质 （半导体相关）
为使组件运作，芯片必须掺以杂质（)Doping），一般常用的有：预置:在炉管内通
离子植入机 （半导体相关）
离子植入机
闭锁效应 （半导体相关）
Latchup:闭锁效应CMOS组件里的底材、阱及PMOS的漏极与NMOS的源极
真空室 （半导体相关）
Chamber真空室，反应室专指一密闭的空间，而有特殊的用途、诸如抽真空，气体反
旋干 （半导体相关）
通过高速旋转产生的离心力把硅片表面水滴驱除
试作芯片 （半导体相关）
PilotWafer为试作芯片，并非生产芯片(PrimeWafer)。在操作机器