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电崩溃 （半导体相关）
当NMOS的沟道缩短，沟道接近汲极地区的载子将倍增，这些因载子倍增所产生的电子，
晶圆厂 （半导体相关）
Fab晶圆厂Fabrication为'装配'或'制造'之意，与Manufactu
电荷陷入 （半导体相关）
无特定分布位置，主要是因为MOS操作时产生的电子或电洞被氧化层内的杂质或不饱和键
闭锁效应 （半导体相关）
Latchup:闭锁效应CMOS组件里的底材、阱及PMOS的漏极与NMOS的源极
集成芯片 （通过半导体技术集成制造的芯片）
集成芯片是指先将晶体管集成制造为特定功能的芯粒（Chiplet），再按照应用需求
NSG （半导体相关）
NSG（NondopedSilicateGlass，无渗入杂质硅酸盐玻璃）为半导
崩溃电压 （半导体相关）
BreakdownVoltage崩溃电压左图是一个典型PN二极管的电流对电压曲线
薄膜沉积 （半导体相关）
薄膜沉积（ThinFilmDeposition）形成的过程中，不消耗芯片或底材的
氧化层阻陷电荷 （半导体相关）
氧化层阻陷电荷（OxideTrappedCharge），Qot,这类电荷没有特定
结型二极管 （半导体二极管）
结型二极管，整流特性发生在N型和P型半导体材料之间的合金结、扩散结、电化学结或生
嵌入式开发板 （半导体行业分工合作的载体）
嵌入式开发板（Embedded development board）就是半导体行
四探针测试技术 （测量半导体电阻率的方法）
四探针测试技术，简称为四探针法，是测量半导体电阻率最常用的一种方法。
磷化镓单晶 （化合物半导体）
磷化镓单晶周期系第l、V族化合物半导体。化学分子式GaP。共价键结合，有一定的离
电浆 （半导体相关）
PECVD英文全名为PlasmaEnhancementCVD。CVD化学反应所需
阻障层 （半导体相关）
BarrierLayer阻障层为了防止铝合金与硅的的接触界面发生尖峰（spiki
氢化磷 （半导体相关）
一种半导体工业用气体。经灯丝加热供给能量后，可分解成:P"，PH＋，PH2＋。(
磷硅玻璃 （半导体相关）
PSG磷硅玻璃是一种含磷的二氧化硅，我们现有制程中P的含量为4.25％。PSG与
镭射激光打标机 （半导体端面泵浦激光打标机）
镭射激光打标机又称 半导体端面泵浦激光打标机 采用先进的光纤耦合半导体激光端面泵
电浆蚀刻 （半导体相关）
电浆蚀刻在干蚀刻(DryEtch)技术中，一般多采用电浆蚀刻(PlasmaEtc
汲极 （半导体相关）
通过掺杂，使其电性与底材P-Si相反的，我们将其称为汲极（Drain）与源极。
半导体异质结构 （一种半导体结构）
半导体异质结构是一种半导体结构，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座
电磁媒质的宏观参量 （电磁媒质包括电介质、导体和半导体等）
电磁媒质的宏观参量，电磁媒质包括电介质、导体和半导体等。在外电磁场作用下，一般说
太阳能电池工作原理 （半导体PN结的光生伏特效应）
太阳能电池工作原理的基础是半导体PN结的光生伏特效应。所谓光生伏特效应就是当物体
白片 （半导体界）
“白片”是一种很通俗的叫法（半导体界），并没有太专业化的定义。要想说清楚，还得先
垂直腔面发射激光器 （半导体）
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitti
光生伏特效应 （半导体在受到光照射时产生电动势的现象）
光生伏特效应，“光生伏特效应”，简称“光伏效应”，英文名称：Photovolta
量子阱半导体激光器 （半导体激光器）
量子阱（QW）半导体激光器是一种窄带隙有源区夹在宽带隙半导体材料中间或交替重叠的
半导体组件 （半导体相关）
半导体组件，常以ONO（OxideNitrideOxide氧化层-氮化层-氧化层
Bulk CMOS （半导体制造技术）
Bulk CMOS（体硅CMOS），是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性
EPROM （生活日用品|科技产品）
EPROM由以色列工程师DovFrohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算
电子迁移 （地质学）
"电子迁移"是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的
临界电压 （电子工程）
电能表能够启动工作的最低电压，此值为参比电压下限(对宽量程的电能表此值为参比电压
硫化镉太阳能电池 （是利用太阳光直接发电的光电半导体薄片）
硫化镉太阳能电池是一种新型电池。
硅片镊子 （用于半导体、光伏、微电子的镊子）
硅片镊子，工业产品。A.硅片镊子可在250℃下长期使用，在高温下能保持较高的强度
结温 （电子设备中半导体的实际工作温度）
结温（Junction Temperature）是电子设备中半导体的实际工作温度
超辐射发光二极管 （半导体光电器件）
超辐射发光二极管（SLD）近年来迅速发展，它是介于激光器（LD）和发光二极管（L
氧化锌半导瓷 （陶瓷半导体材料）
氧化锌半导瓷是一种重要的陶瓷半导体材料。俗称锌白。化学式ZnO，分子量81，密度
硅化物 （化合物 | 石材）
某些金属(如锂、钙、镁、铁、铬等)和某些非金属(如硼等)与硅形成的二元化合物。一
仇雨菁 （南京芯驰半导体科技有限公司联合创始人）
仇雨菁，南京芯驰半导体科技有限公司联合创始人。
FD-SOI （半导体技术）
FDSOI技术即全耗尽型SOI技术，有些文献上也写成ETSOI即超薄型SOI，具