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USG （半导体相关）
即没有搀杂的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉积在BPSG下面，以防止BPSG中的
标准清洗 （半导体相关）
标准清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM组成，SPM为H2SO4和H2O
三氯氧化磷 （半导体相关）
一种用做N+扩散用的化合物。通常以N2为"载气"(CarrierGas)，带着P
光罩 （半导体相关）
Mask光罩在微影的阶段中，必要的线路或MOS电晶体的部分结构，将被印制在一片玻
空乏型 （半导体相关）
空乏型DepletionMOS操作性质与增强型MOS相反，它的通道不须要任何闸极
电崩溃 （半导体相关）
当NMOS的沟道缩短，沟道接近汲极地区的载子将倍增，这些因载子倍增所产生的电子，
平坦化 （半导体相关）
平坦化（Planarization）就是把Wafer表面起伏的的介电层外观，加以
静电破坏 （半导体相关）
自然界的物质均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成，在平常状态下，物质呈中
电浆蚀刻 （半导体相关）
电浆蚀刻在干蚀刻(DryEtch)技术中，一般多采用电浆蚀刻(PlasmaEtc
密化 （半导体相关）
Densify密化CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低，故
金属硅化物 （半导体相关）
Silicide通常指金属硅化物，为金属舆硅的化合物。在微电子工业硅晶集成电路中
NSG （半导体相关）
NSG（NondopedSilicateGlass，无渗入杂质硅酸盐玻璃）为半导
晶圆厂 （半导体相关）
Fab晶圆厂Fabrication为'装配'或'制造'之意，与Manufactu
预烤 （半导体相关）
预烤(Hardbake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake)，主要目的
干式氧化 （半导体相关）
DryOxidation干式氧化在通入的气体中只有氧气与载气，只有氧气与底材发生
击穿电荷 （半导体相关）
表征二氧化硅电特性的参数，用加电流量电压法测得。加1mA至nsec,如果第nse
快速热制程 （半导体相关）
RTP(RapidThermalProcessing)与炉管最大的差别是:RTP
驱入 （半导体相关）
DriveIn驱入离子植入(ionimplantation)虽然能较精确地选择杂
氢化磷 （半导体相关）
一种半导体工业用气体。经灯丝加热供给能量后，可分解成:P"，PH＋，PH2＋。(
扩散式泵 （半导体相关）
扩散式泵通过加热油，油气蒸发高速喷射出去，带出气体分子，达到抽气的目的。它可以达
过氧硫酸清洗 （半导体相关）
过氧硫酸(PeroxymonosulfuricAcid)又称为CARO"saci
化学机械研磨法 （半导体相关）
随着用以隔离之用的场氧化层（FOX）,CMOS电晶体，金属层及介电层等构成IC的
磁控DC溅镀机 （半导体相关）
为了使离子在往金属靶表面移动时获得足够的能量，除了提高极板间的电压外，还必须使离
移动性离子电荷 （半导体相关）
移动性离子电荷一般出现在热氧化层中，主要来自钠及钾等贱金属杂质，影响到氧化层的电
自对准 （半导体相关）
自对准（Self-Aligned）硅化钛就是在硅表面溅镀钛，再对硅片进行高温处理
薄膜沉积 （半导体相关）
薄膜沉积（ThinFilmDeposition）形成的过程中，不消耗芯片或底材的
BOE （半导体相关）
B.O.E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蚀刻即表示HF:NH
半导体组件 （半导体相关）
半导体组件，常以ONO（OxideNitrideOxide氧化层-氮化层-氧化层
Bulk CMOS （半导体制造技术）
Bulk CMOS（体硅CMOS），是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性
扩散炉 （电器电子）
扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力
氧化炉 （电器电子）
变形金刚角色，霸天虎战士。
源极 （词汇 | 电器电子）
(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一
EPROM （生活日用品|科技产品）
EPROM由以色列工程师DovFrohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算
缓冲层 （化学工程 名词）
缓冲层介于胎面胶和帘布层之间的带有或不带有帘线的胶片。特性胶料应具有良好的导热性
湿式氧化 （化学工程 名词）
湿式氧化又称湿式燃烧法。它是指有机物料在有水介质存在的条件下，加以适当的温度和压
介电材料 （航天 名词）
介电材料，dielectric material，又称电介质，是电的绝缘材料。主
电子迁移 （地质学）
"电子迁移"是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的
临界电压 （电子工程）
电能表能够启动工作的最低电压，此值为参比电压下限(对宽量程的电能表此值为参比电压
异质衬底 （两种不同半导体制成的衬底材料）
异质衬底，两种不同半导体制成的衬底材料。衬底材料的选择主要取决于九个方面：（1）
硅单晶片 （半导体的基片材料）
硅单晶片是半导体的主要基片材料之一。硅单晶在生产过程中由于晶体生长可能出现晶体内