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弧光反应室 (半导体相关)
ArcChamber弧光反应室弧光反应室,事实上就是一个直流式的电浆产生器。因为
MOS (半导体相关)
MOS金属半导体构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MO
崩溃电压 (半导体相关)
BreakdownVoltage崩溃电压左图是一个典型PN二极管的电流对电压曲线
磷硅玻璃 (半导体相关)
PSG磷硅玻璃是一种含磷的二氧化硅,我们现有制程中P的含量为4.25%。PSG与
轻掺杂集极 (半导体相关)
轻掺杂集极简称LDD,可以防止热电子效应(HotElectron/Carrier
光生伏特效应 (半导体在受到光照射时产生电动势的现象)
光生伏特效应,“光生伏特效应”,简称“光伏效应”,英文名称:Photovolta
硅晶圆 (半导体相关)
硅晶圆材料(Wafer)是半导体晶圆厂(Fab)内用来生产硅芯片的材料,依面积大
自对准金属硅化物 (半导体相关)
自对准金属硅化物(Self-AlignedSilicide)的制程简称为Sali
镭射激光打标机 (半导体端面泵浦激光打标机)
镭射激光打标机又称 半导体端面泵浦激光打标机 采用先进的光纤耦合半导体激光端面泵
铝砷化镓 (半导体)
砷化镓铝,是一种半导体,其化学式为AlξGa1-ξAs。它的晶格常数非常接近砷化
阶梯覆盖能力 (半导体相关)
表征薄膜沉积时对晶片表面上不同几何结构的覆盖能力,简单地说,即膜层均匀性。如下图
平带电势 (半导体不存在过剩电荷时的电势)
平带电势(flat band potential)半导体不存在过剩电荷时的电势(
硼磷硅玻璃 (半导体相关)
BPSG:为硼磷硅玻璃,含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度
闸极氧化层 (半导体相关)
闸极氧化层
雪崩倍增效应 (强电场下半导体中的载流子的倍增现象)
雪崩倍增效应,强电场下半导体中的载流子的大量倍增现象。当半导体中的电场超过某一特
旋制氧化硅 (半导体相关)
旋制氧化硅(SpinonGlass)是利用旋制芯片,将含有硅化物的溶液均匀地平涂
P井 (半导体相关)
PWellP井在半导体行业里,一般在P-Sub上植入B以形成P-well,以便为
针状阀 (半导体相关)
针状阀(NeedleValve)装在圆锥形阀座上的有细杆的阀,用于准确地调整液体
刻蚀选择比 (半导体术语)
刻蚀选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相对刻蚀速率快慢。它定义为被
电浆 (半导体相关)
PECVD英文全名为PlasmaEnhancementCVD。CVD化学反应所需
红外激光二极管 (半导体二极管)
红外激光二极管是指可在一个频率上产生相干红外光束的半导体二极管,通常是由砷化镓(
集成芯片 (通过半导体技术集成制造的芯片)
集成芯片是指先将晶体管集成制造为特定功能的芯粒(Chiplet),再按照应用需求
铟镓锌氧化物 (透明非晶氧化物半导体)
传统的非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管已经很难满足要求,以铟镓锌氧化物(IGZO
肖克利二极管 (四层半导体二极管)
肖克利二极管(英语:Shockley diode),是一个四层半导体二极管,首批
费城半导体指数 (全球半导体业景气主要指标之一)
费城半导体指数。英文全称PHLX Semiconductor Sector,简称
离子植入 (半导体相关)
Implant离子植入离子注入:将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技
半导体快速接头 (半导体、氟树脂半导体生产设备)
半导体快速接头,半导体、氟树脂半导体生产设备主要用于装置。主体应或注模成形的氟树
鸟嘴 (词汇 | 石材)
鸟嘴:鸟的嘴巴,称之为'喙'(hui)。人们常用"鸟嘴"这一词来形容喜欢乱说乱讲
氧化层阻陷电荷 (半导体相关)
氧化层阻陷电荷(OxideTrappedCharge),Qot,这类电荷没有特定
垫氧化层 (半导体相关)
PadOxide垫氧化层在制程中主要是起到缓冲层,一般做为SIN的垫底以抵消SI
硒化锌晶体 (VI族化合物半导体)
硒化锌晶体ainc selenide crystal }nSe周期表} , VI
洁净室 (半导体相关)
又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间,恒温恒湿,对微粒要求非常高。常用cla
可程序化逻辑门阵列 (含有可编辑元件的半导体设备)
系统设计师可以根据需要通过可编辑的连接把FPGA内部的逻辑块连接起来,就好像一个
多层片式压敏电阻 (化合物陶瓷半导体非线性元件)
多层片式压敏电阻是用流延工艺制成的化合物陶瓷半导体非线性元件。采取与氧化锌压敏电
非平衡载流子 (处于非平衡状态的半导体)
非平衡载流子是指处于非平衡状态的半导体,其载流子浓度也不再是n0和p0,可以比他
杂质补偿 (半导体)
杂质补偿在同一区域内同时含有施主和受主杂质的半导体称为补偿半导体。属于半导体物理
电荷陷入 (半导体相关)
无特定分布位置,主要是因为MOS操作时产生的电子或电洞被氧化层内的杂质或不饱和键
导体场效应晶体管 (电压控制型半导体器件)
导体场效应晶体管是由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导
氧化锆系气敏材料 (具有气敏效应的氧化错系半导体陶瓷)
氧化锆系气敏材料 具有气敏效应的氧化错系半导体陶瓷。先将氧化钙、氧化钉固溶到氧化
低维半导体 (半导体)
低维半导体,载流子(电子或空穴)运动维数低于三维的半导体。载流子运动状态,在空间