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蒸镀 （半导体相关）
蒸镀将我们的蒸镀源放在坩埚里加热，当温度升高到接近蒸镀源的熔点附近。这时，原本处
闸极 （半导体相关）
闸极
底材 （半导体相关）
一般而言半导体中提及的Substrate就是指Wafer
辅抽泵 （半导体相关）
BackingPump辅抽泵在高真空系统中，要想很快建立我们所需的高真空，单纯靠
真空室 （半导体相关）
Chamber真空室，反应室专指一密闭的空间，而有特殊的用途、诸如抽真空，气体反
掺杂源 （半导体相关）
掺杂源我们将通过扩散的方法进行掺杂的物资叫掺杂源，例如将Poly里掺入P的POC
传送室 （半导体相关）
传送室用来隔绝反应室与外界大气直接接触，以确保反应室内的洁净，降低反应室受污染的
间隙壁 （半导体相关）
Spacer间隙壁隔离闸极与其它两个MOS电极，利用它与闸极所形成的结构，来进行
四点测针 （半导体相关）
四点测针（FourPointProbe）是量测芯片片阻值(SheetResist
试作芯片 （半导体相关）
PilotWafer为试作芯片，并非生产芯片(PrimeWafer)。在操作机器
椭圆测厚仪 （半导体相关）
椭圆测厚仪将已知波长的入射光分成线性偏极或圆偏极，照射2003-7-17在待射芯
区域氧化法 （半导体相关）
区域氧化法LocalOxidationofSilicon即区域氧化，简称LOCO
热电子效应 （半导体相关）
在VLSI的时代，ShortChannelDevice势在必行，而目前一般Cir
光罩 （半导体相关）
Mask光罩在微影的阶段中，必要的线路或MOS电晶体的部分结构，将被印制在一片玻
平坦化 （半导体相关）
平坦化（Planarization）就是把Wafer表面起伏的的介电层外观，加以
USG （半导体相关）
即没有搀杂的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉积在BPSG下面，以防止BPSG中的
气体储柜 （半导体相关）
气体储柜（GasCabinet），储存气体钢瓶的柜子，一般是处于负压状态，防止气
尘粒污染 （半导体相关）
尘粒污染（ParticleContamination）'：由于芯片制造过程甚为漫
硒化镉晶体 （族化合物半导体）
硒化镉晶体。admium selenidc crys:al CdSe lAl}}
第三代半导体材料 （半导体学术语）
二十一世纪以来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为
全氟并五苯 （n型有机半导体）
全氟并五苯（Perfluoropentacene，PFP）是一种n型有机半导体，
离子植入 （半导体相关）
Implant离子植入离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技
氧化钴系气敏陶瓷 （气敏效应的氧化钴系半导体陶瓷）
氧化钴系气敏陶瓷是指具有气敏效应的氧化钴系半导体陶瓷。为p型半导体，在氧分压增加
尽缘栅双极晶体管 （固体半导体器件）
尽缘栅双极晶体管应用于智能电网新能源发电、产业变频等领域，优点是高输进阻抗、驱动
MOS （半导体相关）
MOS金属半导体构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MO
欧姆式接触 （半导体相关）
欧姆式接触欧姆接触（OhmicContact）是指金属与半导体的接触，而其接触面
鸟嘴 （词汇 | 石材）
鸟嘴:鸟的嘴巴，称之为'喙'(hui)。人们常用"鸟嘴"这一词来形容喜欢乱说乱讲
洁净室 （半导体相关）
又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间，恒温恒湿，对微粒要求非常高。常用cla
稀磁半导体材料 （磁性半导体）
稀磁性半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体，因
离子植入机 （半导体相关）
离子植入机
TDLAS （可调谐半导体激光吸收光谱）
TDLAS是Tunable Diode Laser Absorption Spe
意法半导体 （最大半导体公司之一）
意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Tho
导体场效应晶体管 （电压控制型半导体器件）
导体场效应晶体管是由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导
再生硅片 （半导体相关）
Reclaim再生硅片半导体晶圆厂内设备进行生产前，均需以测试硅片来量测沉积膜层
杂质光电子 （在电磁辐射作用下半导体电导率改变）
杂质光电子是指在电磁辐射作用下半导体电导率改变。在光照下可动载流子电荷浓度增加而
自对准 （半导体相关）
自对准（Self-Aligned）硅化钛就是在硅表面溅镀钛，再对硅片进行高温处理
质流控制器 （半导体相关）
质流控制器简称MFC,是直接测量气体流量的一种装置，常用在流动气体的控制上。主要
施体 （半导体相关）
Donor施体我们将使原本本征的半导体产生多余电子的杂质，称为施体。如掺入p的情
硅晶圆 （半导体相关）
硅晶圆材料（Wafer）是半导体晶圆厂（Fab）内用来生产硅芯片的材料，依面积大
45纳米 （半导体）
45nm(1μm=1000nm，1nm为10亿分之一米)不是指的芯片上每个晶体管