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TDLAS （可调谐半导体激光吸收光谱）
TDLAS是Tunable Diode Laser Absorption Spe
碳化硅晶片 （一种半导体器件）
碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的
氧化钴系气敏陶瓷 （气敏效应的氧化钴系半导体陶瓷）
氧化钴系气敏陶瓷是指具有气敏效应的氧化钴系半导体陶瓷。为p型半导体，在氧分压增加
氮化铟镓 （三元化合物半导体）
氮化铟镓，分子式InxGa1-xN。利用氮化铟和氮化镓所形成的三元化合物半导体。
氧化镍系气敏陶瓷 （具有气敏效应的氧化镍系半导体陶瓷）
氧化镍系气敏陶瓷是指具有气敏效应的氧化镍系半导体陶瓷。为p型半导体，在氧分压增加
缺点密度 （半导体相关）
DefectDensity缺点密度'缺点密度'系指芯片单位面积上(如每平方公分，
汲极 （半导体相关）
通过掺杂，使其电性与底材P-Si相反的，我们将其称为汲极（Drain）与源极。
量子阱半导体激光器 （半导体激光器）
量子阱（QW）半导体激光器是一种窄带隙有源区夹在宽带隙半导体材料中间或交替重叠的
介电材料 （航天 名词）
介电材料，dielectric material，又称电介质，是电的绝缘材料。主
纳米激光发射器 （纳米级的半导体激光发射器）
纳米激光发射器是纳米级的半导体激光发射器，它可应用于超级计算机芯片、高敏感度生物
硅化铬晶体 （元素化合物半导体）
硅化铬晶体chr}}mium }i}ic:ide crystal CrSi}周朗
自对准 （半导体相关）
自对准（Self-Aligned）硅化钛就是在硅表面溅镀钛，再对硅片进行高温处理
NSG （半导体相关）
NSG（NondopedSilicateGlass，无渗入杂质硅酸盐玻璃）为半导
N井 （半导体相关）
在半导体行业里，一般在P-Sub上植入P以形成N-well,以便为后期形成PMO
电磁媒质的宏观参量 （电磁媒质包括电介质、导体和半导体等）
电磁媒质的宏观参量，电磁媒质包括电介质、导体和半导体等。在外电磁场作用下，一般说
电可擦除可编程只读存储器 （半导体存储设备）
EEPROM，或写作E2PROM，全称电可擦除可编程只读存储器 （英语：Elec
BOE （半导体相关）
B.O.E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蚀刻即表示HF:NH
icscrm （半导体术语）
icscrm是关于半导体的学术名词。
中国LED展 （中国半导体展览会）
中国LED展于春季在深圳展出、秋季上海展出。展览会是由工业和信息化部电子信息司辅
铁氟隆 （半导体相关）
Teflon铁氟隆聚四氟乙烯，一种耐酸耐腐蚀耐高温的材料，我们使用的某些cass
固溶体半导体 （具有半导体性质的固溶体）
固溶体半导体：具有半导体性质的固溶体，又称混晶或混合晶体。大多数固溶体半导体为代
驱入 （半导体相关）
DriveIn驱入离子植入(ionimplantation)虽然能较精确地选择杂
除湿装置 （用于半导体制冷除湿的设备）
除湿装置，智能型抽湿装置是采用半导体制冷除湿方式，主动将密闭空间的潮湿空气在风扇
氧化层阻陷电荷 （半导体相关）
氧化层阻陷电荷（OxideTrappedCharge），Qot,这类电荷没有特定
密化 （半导体相关）
Densify密化CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低，故
垫氧化层 （半导体相关）
PadOxide垫氧化层在制程中主要是起到缓冲层,一般做为SIN的垫底以抵消SI
半导体组件 （半导体相关）
半导体组件，常以ONO（OxideNitrideOxide氧化层-氮化层-氧化层
离子植入 （半导体相关）
Implant离子植入离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技
EUV （半导体光刻技术）
EUV，即极紫外光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术；
台积电 （台湾半导体代工商）
台积电，成立于1987年，是全球第一家专业积体电路制造服务（晶圆代工foundr
尽缘栅双极晶体管 （固体半导体器件）
尽缘栅双极晶体管应用于智能电网新能源发电、产业变频等领域，优点是高输进阻抗、驱动
垂直腔面发射激光器 （半导体）
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitti
硅化物 （化合物 | 石材）
某些金属(如锂、钙、镁、铁、铬等)和某些非金属(如硼等)与硅形成的二元化合物。一
烧机 （计算机硬件领域的术语）
烧机，是计算机硬件领域的术语。一般指的是对组装好的全新计算机进行全方面、大量的、
EPROM （生活日用品|科技产品）
EPROM由以色列工程师DovFrohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算
电子迁移 （地质学）
"电子迁移"是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的
临界电压 （电子工程）
电能表能够启动工作的最低电压，此值为参比电压下限(对宽量程的电能表此值为参比电压
抑制射频干扰电容器 （电子元件 名词）
抑制射频干扰电容器（RFI suppression capacitor）是199
硫化镉太阳能电池 （是利用太阳光直接发电的光电半导体薄片）
硫化镉太阳能电池是一种新型电池。
硅片镊子 （用于半导体、光伏、微电子的镊子）
硅片镊子，工业产品。A.硅片镊子可在250℃下长期使用，在高温下能保持较高的强度