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EUV （半导体光刻技术）
EUV，即极紫外光刻，它以波长为10-14纳米的极紫外光作为光源的光刻技术；
铝硅铜 （半导体相关）
Al-Cu-Si铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为Target，其成份
USG （半导体相关）
即没有搀杂的二氧化硅，LPCVD制得，一般沉积在BPSG下面，以防止BPSG中的
标准清洗 （半导体相关）
标准清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM组成，SPM为H2SO4和H2O
三氯氧化磷 （半导体相关）
一种用做N+扩散用的化合物。通常以N2为"载气"(CarrierGas)，带着P
光罩 （半导体相关）
Mask光罩在微影的阶段中，必要的线路或MOS电晶体的部分结构，将被印制在一片玻
空乏型 （半导体相关）
空乏型DepletionMOS操作性质与增强型MOS相反，它的通道不须要任何闸极
平坦化 （半导体相关）
平坦化（Planarization）就是把Wafer表面起伏的的介电层外观，加以
静电破坏 （半导体相关）
自然界的物质均由原子组成，而原子又由质子、中子及电子组成，在平常状态下，物质呈中
电浆蚀刻 （半导体相关）
电浆蚀刻在干蚀刻(DryEtch)技术中，一般多采用电浆蚀刻(PlasmaEtc
密化 （半导体相关）
Densify密化CVD沈积后由于所沈积的薄膜(ThinFilm)的密度很低，故
金属硅化物 （半导体相关）
Silicide通常指金属硅化物，为金属舆硅的化合物。在微电子工业硅晶集成电路中
晶圆厂 （半导体相关）
Fab晶圆厂Fabrication为'装配'或'制造'之意，与Manufactu
预烤 （半导体相关）
预烤(Hardbake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake)，主要目的
干式氧化 （半导体相关）
DryOxidation干式氧化在通入的气体中只有氧气与载气，只有氧气与底材发生
击穿电荷 （半导体相关）
表征二氧化硅电特性的参数，用加电流量电压法测得。加1mA至nsec,如果第nse
快速热制程 （半导体相关）
RTP(RapidThermalProcessing)与炉管最大的差别是:RTP
驱入 （半导体相关）
DriveIn驱入离子植入(ionimplantation)虽然能较精确地选择杂
氢化磷 （半导体相关）
一种半导体工业用气体。经灯丝加热供给能量后，可分解成:P"，PH＋，PH2＋。(
扩散式泵 （半导体相关）
扩散式泵通过加热油，油气蒸发高速喷射出去，带出气体分子，达到抽气的目的。它可以达
过氧硫酸清洗 （半导体相关）
过氧硫酸(PeroxymonosulfuricAcid)又称为CARO"saci
化学机械研磨法 （半导体相关）
随着用以隔离之用的场氧化层（FOX）,CMOS电晶体，金属层及介电层等构成IC的
磁控DC溅镀机 （半导体相关）
为了使离子在往金属靶表面移动时获得足够的能量，除了提高极板间的电压外，还必须使离
移动性离子电荷 （半导体相关）
移动性离子电荷一般出现在热氧化层中，主要来自钠及钾等贱金属杂质，影响到氧化层的电
薄膜沉积 （半导体相关）
薄膜沉积（ThinFilmDeposition）形成的过程中，不消耗芯片或底材的
自对准 （半导体相关）
自对准（Self-Aligned）硅化钛就是在硅表面溅镀钛，再对硅片进行高温处理
牺牲氧化层 （半导体相关）
牺牲氧化层作用:去除在fieldoxidation过程中，由于KooiEffec
萃取电极 （半导体相关）
Extraction Electrode是离子植入机中用来将Source的Arc
BOE （半导体相关）
B.O.E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蚀刻即表示HF:NH
电崩溃 （半导体相关）
当NMOS的沟道缩短，沟道接近汲极地区的载子将倍增，这些因载子倍增所产生的电子，
半导体组件 （半导体相关）
半导体组件，常以ONO（OxideNitrideOxide氧化层-氮化层-氧化层
NSG （半导体相关）
NSG（NondopedSilicateGlass，无渗入杂质硅酸盐玻璃）为半导
硅化物 （化合物 | 石材）
某些金属(如锂、钙、镁、铁、铬等)和某些非金属(如硼等)与硅形成的二元化合物。一
扩散炉 （电器电子）
扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力
氧化炉 （电器电子）
变形金刚角色，霸天虎战士。
源极 （词汇 | 电器电子）
(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。一
超过滤 （石材）
一种以压力差为推动力，按粒径选择分离溶液中所含的微粒和大分子的膜分离操作。超过滤
烧机 （计算机硬件领域的术语）
烧机，是计算机硬件领域的术语。一般指的是对组装好的全新计算机进行全方面、大量的、
EPROM （生活日用品|科技产品）
EPROM由以色列工程师DovFrohman发明，是一种断电后仍能保留数据的计算
电子迁移 （地质学）
"电子迁移"是50年代在微电子科学领域发现的一种从属现象，指因电子的流动所导致的