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铜铟硒太阳能电池 (多元化合物半导体薄膜电池)
铜铟硒太阳能电池,亦称“铜铟硒太阳电池”。以铜铟硒薄膜为吸收层的多元化合物半导体
阶梯覆盖能力 (半导体相关)
表征薄膜沉积时对晶片表面上不同几何结构的覆盖能力,简单地说,即膜层均匀性。如下图
刻蚀选择比 (半导体术语)
刻蚀选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相对刻蚀速率快慢。它定义为被
光阻 (半导体相关)
光阻(PhotoResist)'为有机材料,系利用光线照射,使有机物质进行光化学
平带电势 (半导体不存在过剩电荷时的电势)
平带电势(flat band potential)半导体不存在过剩电荷时的电势(
磷化镓单晶 (化合物半导体)
磷化镓单晶周期系第l、V族化合物半导体。化学分子式GaP。共价键结合,有一定的离
费城半导体指数 (全球半导体业景气主要指标之一)
费城半导体指数。英文全称PHLX Semiconductor Sector,简称
低压晶体管 (固体半导体器件)
一种固体半导体器件,可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
晶舟 (半导体相关)
Boat晶舟Boat原意是单木舟。在半导体IC制造过程中,常需要用一种工具作芯片
磊晶芯片 (半导体相关)
磊晶系在晶体表面成长一层晶体。
垂直层流 (半导体相关)
VLFVerticalLaminarFlow垂直层流,在流体的流动状态中,可分为
洁净室 (半导体相关)
又称无尘室。半导体加工的环境是高净化空间,恒温恒湿,对微粒要求非常高。常用cla
刷洗机 (半导体相关)
1.在沉积或蚀刻制程之后常会有些微尘落在芯片表面,此种P/D可刷洗去除,避免对良
离子植入 (半导体相关)
Implant离子植入离子注入:将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技
彩色激光灯 (RGB半导体激光器)
彩色激光灯采用RGB半导体激光器,由红、绿、蓝三色组成彩色和单色文字,适用于大型
雪崩倍增效应 (强电场下半导体中的载流子的倍增现象)
雪崩倍增效应,强电场下半导体中的载流子的大量倍增现象。当半导体中的电场超过某一特
崩溃电压 (半导体相关)
BreakdownVoltage崩溃电压左图是一个典型PN二极管的电流对电压曲线
次微米 (半导体行业术语)
次微米(Sub-Micron),一般用来描述半导体工业的发展。
碳化硅晶片 (一种半导体器件)
碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的
铝硅铜 (半导体相关)
Al-Cu-Si铝硅铜金属溅镀时所使用的原料名称,通常是称为Target,其成份
牺牲氧化层 (半导体相关)
牺牲氧化层作用:去除在fieldoxidation过程中,由于KooiEffec
薄膜沉积 (半导体相关)
薄膜沉积(ThinFilmDeposition)形成的过程中,不消耗芯片或底材的
晶圆厂 (半导体相关)
Fab晶圆厂Fabrication为'装配'或'制造'之意,与Manufactu
预烤 (半导体相关)
预烤(Hardbake):又称为蚀刻前烘烤(pre-etchbake),主要目的
干式氧化 (半导体相关)
DryOxidation干式氧化在通入的气体中只有氧气与载气,只有氧气与底材发生
击穿电荷 (半导体相关)
表征二氧化硅电特性的参数,用加电流量电压法测得。加1mA至nsec,如果第nse
快速热制程 (半导体相关)
RTP(RapidThermalProcessing)与炉管最大的差别是:RTP
驱入 (半导体相关)
DriveIn驱入离子植入(ionimplantation)虽然能较精确地选择杂
氢化磷 (半导体相关)
一种半导体工业用气体。经灯丝加热供给能量后,可分解成:P",PH+,PH2+。(
扩散式泵 (半导体相关)
扩散式泵通过加热油,油气蒸发高速喷射出去,带出气体分子,达到抽气的目的。它可以达
过氧硫酸清洗 (半导体相关)
过氧硫酸(PeroxymonosulfuricAcid)又称为CARO"saci
化学机械研磨法 (半导体相关)
随着用以隔离之用的场氧化层(FOX),CMOS电晶体,金属层及介电层等构成IC的
磁控DC溅镀机 (半导体相关)
为了使离子在往金属靶表面移动时获得足够的能量,除了提高极板间的电压外,还必须使离
移动性离子电荷 (半导体相关)
移动性离子电荷一般出现在热氧化层中,主要来自钠及钾等贱金属杂质,影响到氧化层的电
USG (半导体相关)
即没有搀杂的二氧化硅,LPCVD制得,一般沉积在BPSG下面,以防止BPSG中的
标准清洗 (半导体相关)
标准清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM组成,SPM为H2SO4和H2O
三氯氧化磷 (半导体相关)
一种用做N+扩散用的化合物。通常以N2为"载气"(CarrierGas),带着P
光罩 (半导体相关)
Mask光罩在微影的阶段中,必要的线路或MOS电晶体的部分结构,将被印制在一片玻
空乏型 (半导体相关)
空乏型DepletionMOS操作性质与增强型MOS相反,它的通道不须要任何闸极
平坦化 (半导体相关)
平坦化(Planarization)就是把Wafer表面起伏的的介电层外观,加以