半导体制造的次时代技术，台积电和三星正在积极开发

这是一种半导体晶体管设计与技术方案，它的英文缩写为，中文译名环绕式栅极技术，是现在半导体工艺制程进入5nm之后主流方案鳍式场效应晶体管失效后为摩尔定律续命的最佳替代方案。与上一代鳍式场效应晶体管的革命性设计不同，它只是一种鳍式场效应晶体管设计方案的改进版，所以也很难确定它的极限，一般认为可以支持3nm工艺，但很难突破1nm。这项技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再像前代技术一样直接和基底接触，而是利用线状或者平板状、片状等多个源极和漏极横向垂直于栅极分布后，实现晶体管的基本结构和功能。目前，世界上最先进的2大半导体制造商三星和台积电因为制程领先，已在积极开发相关的制程工艺技术，据传2022年能够实现量产。