非极性晶体受到光照时所产生的光生伏打效应有两类:一类是发生在均匀介质中的德姆伯(Dember)效应和光子拖曳效应(Photon一dragofoleetroneffeet);另一类是宏观非均匀材料(如p一n结区)在均匀吸收光时所出现的光伏效应。非极性晶体受到光照时所产生的光生伏打效应有两类:一类是发生在均匀介质中的德姆伯(Dember)效应和光子拖曳效应(Photon一dragofoleetroneffeet);另一类是宏观非均匀材料(如p一n结区)在均匀吸收光时所出现的光伏效应。无论上述那种效应，跨过单一元件上的光伏电压都不超过电子的禁带宽度(一般为数伏)。尽管对某些半导体，如含有CdTe、Si呈、Ge、GaAs、PbS等蒸发层的薄膜，也观察到了每厘米数百伏的电场，但本质上讲，这是德姆伯电动势或p一n结电动势累积迭加的结果。