金属-半导体转变（metal-semiconductor transition），理学-化学-无机化学-固体化学-压电陶瓷，金属超薄单晶膜的半导体转变和金属超细微粒的半导体转变等。起源于物质的量子尺寸效应。根据量子力学理论预言：金属薄膜材料在厚度方向的尺寸等于或者小于该材料体系对应的电子德布罗意波长时，费米能级附近的导带和价带将由准连续分裂成量子化的不连续子带能级，且价带中的子带能级向下移动，而导带中的子带能级向上移动，在费米能级附近出现禁带，金属薄膜材料转变为半导体薄膜材料，称为金属-半导体转变。对于超细金属微粒而言，如果颗粒直径与该材料体系电子德布罗意波长相当，也会发生金属-半导体转变。随着薄膜生长技术的进步，特别是由分子束外延技术制造出具有原子级平整度的锡、铋、铅等超薄金属薄膜，从实验上证实了理论预言的量子尺寸效应导致的金属-半导体转变。