湿法异向刻蚀（wet anisotropic etching），工学-机械工程-机械工程基础-〔机械制造基础〕-加工制造-微纳机电系统-磁致动器，某些腐蚀剂对硅不同晶面的腐蚀具有不同的腐蚀速率，基于这种腐蚀特性，可在硅衬底上加工出各种各样的微结构的加工技术。是硅基微机械电子系统应用中一种重要的加工技术。各向异性腐蚀剂一般分为两类，一类是有机腐蚀剂，包括：EPW（乙二胺，邻苯二酚和水）、联氨、TMAH（四甲基氢氧化胺）等；另一类是无机腐蚀剂，主要是碱性腐蚀液，如氢氧化钾、氢氧化钠和氢氧化锂等。这两类腐蚀剂在腐蚀硅时具有类似的腐蚀现象，即相对于（110）和（100）等其他硅晶面来说，它们对（111）硅晶面的腐蚀速率很小。由于（111）面腐蚀速率最慢，对于（100）硅片的孔槽结构图形，通常腐蚀出以（111）面自停止面的倒金字塔或四棱锥结构，棱角为（111）面与（100）面的夹角54.7˚；对于（100）硅片的凸台结构图形，凸角处腐蚀速率较快的晶面最先被腐蚀，会出现削角现象。为获得完好凸台结构，需要采用凸角补偿技术在掩模版图中增加补偿条或者补偿角，以延长凸角腐蚀时间。