抗辐照加固（radiation hardening），理学-计算机科学技术-计算机体系结构-计算机可靠性技术，为保证电子系统、仪器等在辐射环境中仍能完好并可靠地完成各种预定功能而采取的各种技术措施。辐射对于硅基器件有4种故障损伤机制，包括：位移损伤效应、总剂量效应、瞬时电离辐射效应和单粒子效应。为应对上述辐照效应，目前集成电路的抗辐照加固技术主要包括工艺加固、屏蔽加固和设计加固。工艺加固是指通过专用工艺或者在标准工艺线上附加专用工艺模块，通过采用特殊工艺步骤如掺杂、钝化等技术，或采用专门的材料结构如SOI/SOS、外延硅薄膜等来提升电路抗累积和瞬时辐射效应的能力。该方式有较好的抗辐照加固性能，但维持运行专用工艺生产线的成本高。屏蔽加固则通过对电路外封装增加包敷材料来吸收阻挡一部分辐射来减小沉积与电路的辐射效应。该加固方式对抵抗低能电子辐射效果显著，但对高能粒子的辐射效应基本无效，另外该方式会增加系统有效载荷重量，加大航天发射成本。设计加固则是在系统设计阶段通过在电路实现层、系统结构层、软件应用层采取加固措施来提升抗电路系统与器件的抗辐照性能。