软刻蚀技术

软刻蚀技术（soft lithography），理学-化学-物理化学-纳米物理化学-软刻蚀技术，使用弹性印章来进行图形的复制与转移，或采用印章当作掩模批量制备图案化结构的技术。这一技术在20世纪90年代初期由美国哈佛大学G.M.怀特赛兹[注]研究组率先提出。软刻蚀技术除了制作母板需要使用比较昂贵的电子束刻蚀或其他先进技术外，在后续的操作过程，诸如浇注、复制、转移图形等，都非常简便。软刻蚀技术可以有效地克服传统光刻技术的缺陷，具有明显的优势，包括：操作过程简单，方便快捷；不需要复杂昂贵的大型设备；由于操作过程中不涉及光的作用，只要最初的模板足够精细，就可以突破光刻的100纳米极限；可以方便地在平面或曲面表面制作微细结构；既可以构筑二维图形，也可以构筑三维的微结构；可以对图形表面的化学性质加以控制，方便地形成带特定官能团的图形表面等。软刻蚀已经发展壮大成一系列的相关技术，具体包括微接触印刷、毛细微模塑、溶剂辅助微模塑、转移微模塑、微模塑、近场光蚀刻等多项技术。软刻蚀和其衍生的技术代表了一类新的微图案化方法。