模版图案法（templet patterning technique），理学-化学-高分子化学-高分子组装-微流控技术-模版图案法，利用表面具有亲疏水性差异的图案模板引导嵌段共聚物自组装的方法。特点是可以得到具有预先设定图案且长程有序结构的高分子膜材料。随后，通过化学方法对嵌段共聚物的某一嵌段进行选择性刻蚀，即可得到大面积具有有序结构的阴/阳模板；将该有序结构模板转移到半导体晶片上，进而可以制备出具有相应图案的半导体集成电路（芯片）。由于嵌段共聚物的相尺寸在纳米尺度，这样可得到线幅小于10纳米的半导体芯片，是光刻、等离子刻蚀等技术难以达到的。一般地，该方法对嵌段共聚物的要求较高，如不同链段的溶解度参数的差异要足够大、分子量分布要足够窄（分散系数一般要小于1.1），而且其相区尺寸要与模板的图案尺寸相匹配。该方法可用于高密度集成电路的制备等领域。