当栅极金属跨越多晶硅岛控制TFT沟道时，同时在多晶硅岛的边缘也形成等效寄生晶体管结构，称为边缘薄膜晶体管。漏极电流可分解为主要TFT电流和边缘TFT电流:Id=Id(main)+Id(edge)。通常边缘TFT占总体电流比例不高了，可忽略不计，但如果多晶硅岛边缘氧化层覆盖性不佳造成氧化层较薄的话，边缘TFT特性明显，其他因素如器件尺寸、多晶硅厚度、Taper角度、辐射辐照等因素都会增加边缘TFT电流的比例，导致出现驼峰效应。多晶硅岛边缘容易受等离子工艺引发潜在损伤(PPID:Plasma Process Induced Damage)，初始状态不明显，在经历可靠性测试后会出现驼峰效应，此类特性