化学刻蚀（chemical etching），工学-机械工程-机械工程基础-〔机械制造基础〕-加工制造-微纳机电系统-磁致动器，纯粹利用等离子体中的活性原子团（活性自由基，不带电，不受电场的加速作用）与被刻蚀对象发生化学反应，产生挥发性的产物，被真空系统抽离反应室而实现材料去除的技术。由于活性原子团运动方向性差，这种刻蚀是各向同性的。但由于活性原子团对刻蚀对象具有较高的选择性，这种刻蚀的选择比较高。因这种反应完全利用化学反应，故又称为化学性刻蚀。与湿法刻蚀类似，只是反应物与产物的状态从液态改为气态，并以等离子体来加快反应速率。因此，化学性干法刻蚀具有与湿法刻蚀类似的优点与缺点，即具有较高的掩膜/底层的选择比及等向性。鉴于化学性刻蚀各向同性的缺点，在半导体工艺中，只在刻蚀不需要图形转移的步骤（如光刻胶的去除）中应用纯化学刻蚀方法。比较典型的化学刻蚀技术是等离子刻蚀。等离子刻蚀[注]（PE），是利用刻蚀气体分子在高频电场作用下发生电离形成辉光放电，产生等离子体。利用离子与薄膜间的化学反应生成挥发性产物，由真空系统抽走，达到刻蚀的目的。