临界电场（critical electric field），工学-电子科学与技术-微电子学-微电子器件-【技术参数】，导致电介质、半导体及元器件的物理和电学特性发生突变而击穿的电场强度临界值。电介质、半导体及元器件的物理和电学特性只有在一定的电场强度范围内能够保持。对于突变PN结来说，击穿电压的表达式由需要在PN结处产生载流子倍增所需要的临界电场推导而来。临界电场与半导体材料和低掺杂一侧的杂质浓度正相关，而与半导体材料的介电常数负相关。在金属-氧化物-半导体场效应晶体管（metal-oxide-semiconductor field effect transistor，MOSFET）器件中，长沟道器件的漏端击穿通常由于结雪崩引起，而短沟道器件的漏端击穿则由穿通引起。在实际工作中，半导体材料的临界电场会随着半导体材料厚度的减小而急剧增加。当电场强度达到临界电场以后，在电场很强时载流子平均能量升高，载流子漂移速度不再随电场增强而增大，从而达到其漂移速度上限，这个速度被称作饱和速度。