硒化锗晶体

硒化锗晶体是一个化工学术语。硒化锗晶体germanium ;elenide crystal GeSe周期表第IVA， VIA族化合物半导体。正交晶系离子性晶休，晶格常数U.43$rrm。为直接带隙半导体、』密度5.55gIcm3o熔点}，}oc .. }温禁带宽度1. 53cv。电子和空穴迁移率分别为(1.1m}1( V " s)和3 X lp-'nr'`I( V " s )。