FRAM是由美国?Ramtron公司生产的非易失性铁电介质读写存储器。?其核心技术是铁电晶体材料，这一特殊材料使得铁电存贮产品同时拥有随机存储器(RAM)?和非易失性存储器的特性。FRAM存储器的基本原理 铁电晶体材料的工作原理是: 当我们把电场加载到铁电晶体材料上，晶阵中的中心原子会沿着电场方向运动，到达稳定状态。晶阵中的每个自由浮动的中心原子只有两个稳定状态，一个我们记作逻辑 0，另一个记作逻辑 1。中心原子能在常温﹑没有电场的情况下停留在此状态达一百年以上。 由于在整个物理过程中没有任何原子碰撞，铁电存储器(FRAM)拥有高速读写，超低功耗和无限次写入等特性。 FRAM存储器的特点及应用 ● 采用2048×8位存储结构；● 读写次数高达1百亿次；● 在温度为55℃时，10年数据保存能力；● 无延时写入数据；● 先进的高可靠性铁电存储方式；● 连接方式为高速串行接口（SPI）总线方式，且具有SPI方式0和3两种方式；● 总线频率高达5MHz；● 硬件上可直接取代E；● 具有先进的写保护设计，包括硬件保护和软件保护双重保护功能；● 低功耗，待机电流仅为10μA；● 采用单电源+5V供电；● 工业温度范围：-40℃至+85℃；● 采用8脚SOP 或DIP封装形式；基于以上特点， FRAM存储器非常适用于非易失性且需要频繁快速存储数据的场合。其应用范围包括对写周期时序有严格要求的数据采集系统和使用EEPROM时由于其写周期长而可能会引起数据丢失的工业控制等领域。 FRAM存储器的几点说明 (1) 早期的FRAM读/写速度不一样，写入时间更长一些，在使用上要注意。近期的FRAM读/写速度是一样的。例如，上述FM1808的一次读/写时间为70 ns。一般地，一次读/写的时间短，而连续的读/写周期要长一些。例如，Ramtron公司新近推出的128 K×8 bit的FRAM芯片FM2