驻波效应

光刻胶曝光时，光线透过光刻胶照射在硅(Si)衬底上，在光刻胶和衬底的界面处，光线会被反射，这些反射光和入射光会形成干涉，使得光强沿胶深方向的分布不均匀，形成驻波效应。驻波效应对深紫外光刻胶的影响更为显著，因为很多硅片表面(例如氧化层、氮化硅和多晶硅)在较短的深紫外波长反射更加厉害。曝光后，光刻胶侧面是由过曝光和欠曝光而形成条痕。