双重光刻是把设计版图拆分放置在两块掩模上，使用两次光刻技术，将图形转移到衬底上。双重光刻中，第一次光刻使用第一块掩模版，光刻完成后，做刻蚀，把光刻胶上的图形转移到下面的硬掩模上，然后旋涂光刻胶使用第二块掩模完成第二次光刻（曝光和显影），刻蚀把第二次的光刻胶图形转移到硬掩模上，最后把硬掩模上的图形刻蚀转移到衬底上。尽管LELE的工艺流程比较复杂，但是它并不需要开发任何新的材料。在过去技术节点得到了验证的材料和工艺基本上均可以使用。双重光刻技术多用于包含不规则排列光刻结构的工艺实现，其可以实现周期从80nm到44nm的核心图形。双重光刻技术是金属层和接触孔图形最常用的工艺技术，其拆分方法直观、掩模数量需求较少、对图层的设计规则要求相对宽松。