自对准双重曝光技术

自对准双重曝光技术（self-aligned double  exposure technology），工学-电子科学与技术-集成电路-集成电路工艺-光刻技术，集成电路制造中，在光刻环节对光刻胶覆盖的晶片分别进行两次曝光的技术。自对准双重曝光技术是基于侧墙技术的两次光刻方法。第一次光刻后利用侧墙薄膜沉积和刻蚀等工艺实现几何图形的空间倍频，第二次光刻后利用刻蚀等工艺取出多余的几何图形，使基片上光刻图形与预先设计图形一致。自对准双重曝光技术的工艺流程如下：首先在基片表面用化学气相沉积方法淀积牺牲层，然后进行第一次光刻，利用原子层沉积方法的台阶覆盖性和厚度均匀性等优点，在光刻胶表面和侧墙上原子层淀积一层介质薄膜，再进行无掩蔽层的等离子体刻蚀，去除光刻胶表面上的介质薄膜，而保留光刻胶图形侧墙的介质薄膜；接着用氧气等离子体刻蚀去除光刻胶，这样牺牲层表面上仅剩下侧墙图形，侧墙图形密度是第一次光刻图形密度的两倍；再以侧墙图形为掩蔽，用各向异性等离子体刻蚀牺牲层，将侧墙图形转移到牺牲层中，转移完成后去除侧墙图形，获取空间倍频的牺牲层结构。