红光发光二极管芯片

红光发光二极管芯片（red light emitting diode chip），工学-电子科学与技术-半导体照明技术-半导体照明器件-发光二极管芯片，发光波长为650～700纳米的芯片。红光发光二极管芯片的主流材料是铝镓铟磷（AlGaInP）体系。铝镓铟磷内量子效率接近100%。由于铝镓铟磷外延材料的折射率与空气相差很大，其光提取效率很低。此外，铝镓铟磷外延材料的衬底通常是砷化镓（GaAs），对红光吸光严重。为了提高红光发光二极管芯片的光提取效率，可以采取一定措施，如将外延层转移到透明衬底上，对出光面进行表面粗化等。