纳米晶浮栅存储器（nanocrystal floating gate memory），工学-电子科学与技术-集成电路-存储器-快闪存储器，利用金属纳米晶体代替电离陷阱实现俘获电荷功能的闪存类存储设备。1995年，美国国际商业机器公司（International Business Machines Corporation，IBM）的研究者在国际电子器件大会上刊文发表了一种基于单个晶体管和单个纳米晶体的非易失性电荷存储器件，并指出该器件具有较好信息保持特性的同时，状态转换速度也高于传统的电擦除可编程只读存储器（electrically-erasable programmable read-only memory，EEPROM），关于纳米晶浮栅存储器的研究自此开始。纳米晶浮栅存储器的材料主要是传统互补金属-氧化物-半导体（complementary metal-oxide-semiconductor，CMOS）工艺需要的材料和金属材料（如钴等）。纳米晶浮栅存储器的主体结构与电荷俘获型存储器结构类似，而存储单元的栅由4部分组成，包括顶层的控制栅、阻挡层、金属纳米晶层和最下方的薄氧化物隧穿层。