电子束曝光技术（electron beam lithography），理学-化学-物理化学-纳米物理化学-电子束曝光技术，利用电子束在样品表面制造、加工图样的工艺。是纳米加工领域的关键技术。光波透过掩膜版会因散射而使曝光区域弥散进而影响精度，故而使用光源波长越短，光刻能够达到的精度越高。传统光刻技术的精度受到光源波长的限制，而在电子束刻蚀技术中，使用高度聚焦的电子束作为光源，精度可达纳米量级；同时，使用电子束曝光无须掩膜板，可以灵活设计图形，适用于小批量、特殊器件的加工制造。电子束曝光技术的基本工艺包括：样品制备、旋涂光刻胶、电子束曝光、显影、定影、后期加工（镀膜等）、去除光刻胶等步骤。成熟的加工工艺能够保证产品制作的合格率。电子束刻蚀技术主要用于集成电路领域，集中体现在以下三方面：①掩膜版制造，特别是用于光学光刻的铬版制造中；②直接曝光基片，主要用于砷化镓（GaAs）集成电路和光波导器件的小批量生产，通常，电子束直接曝光制造器件比主流光学光刻超前一到二代；③电子束用于研究纳米量级的量子效应及其他物理现象。