二维拓扑绝缘体（two-dimensional topological insulator），工学-电子科学与技术-纳米电子学-纳米电子器件-二维电子器件-二维原子晶体-二维拓扑绝缘体，内部绝缘而表面或边缘处导电的二维原子晶体。在二维拓扑绝缘体的内部，电子能带结构和常规的绝缘体相似，其费米能级位于导带和价带之间。在二维拓扑绝缘体的表面存在一些特殊的量子态，这些量子态位于块体能带结构的带隙之中，从而允许导电。这些量子态可以用类似拓扑学中的亏格的整数表征，是拓扑序的一个特例。强自旋轨道耦合使其能带反转，拥有与石墨烯相似的狄拉克锥结构。二维拓扑绝缘体材料的主要制备方法是分子束外延。21世纪20年代，得以实验证实的二维拓扑绝缘体材料主要有硒化锑（Sb2Se3）、硒化铋（Bi2Se3）、碲化铋（Bi2Te3）和碲化锑（Sb2Te3）等，它们具有独特的内部绝缘和表面导电的特性，在构建自旋量子器件、拓扑量子计算、马约拉纳费米子研究和激光锁模等方面具有重要应用。