I线光刻技术（I-line lithography technology），工学-电子科学与技术-集成电路-集成电路工艺-光刻技术，集成电路制造中，基于汞灯产生的波长为365纳米曝光光源的投影光刻技术。光刻是将掩膜上的几何图形转移到基片表面光刻胶中，从而在基片上实现设计者意图的微纳加工技术，是集成电路生产流程中技术难度大、成本高的技术环节。21世纪10年代末，集成电路大生产中仍然采用光学光刻技术为主流的工艺技术体系。根据光学衍射理论，两个物点经透镜成像后在像平面上得到两个像斑。分辨这两个像斑的瑞利判据是：当一个艾里斑的边缘与另一个艾里斑的中心刚好重合时，两个对应物点刚好能被人眼或光学仪器所分辨。分辨力和焦深的表达式如下：…（1）…（2）式中和为工艺因子，的理论极限为0.25；为曝光光源波长；为投影光刻机数值孔径。因此，提高光刻分辨力的技术途径包括：①减小光刻机波长；②增大光刻机数值孔径；③采用分辨力增强技术减小工艺因子。