纳米存储器（Nano-RAM），理学-计算机科学技术-计算机硬件-计算机存储部件，Nantero公司的一种基于碳纳米管的非易失性存储器技术。其原理主要是在一个片状基层上分布碳纳米管。理论上，碳纳米管的小尺寸允许了非常高的存储密度。纳米存储器是一种非易失存储器，即使是在无电的情况下也可以保存数据。第一代纳米存储器是基于一个三端半导体装置形成的，其中第三端用来改变存储单元的存储状态。第二代纳米存储是基于两端存储单元形成的。两端的存储单元有着一定的优势，比如更小的存储单元尺寸，20纳米的制造工艺等等。纳米存储器在理论上有着和DRAM一样的密度。纳米存储器有端点和电极，尺寸和DRAM的差不多，电极和端点之间的纳米管特别小。纳米存储器仅仅被光刻工艺的技术所限制。这意味着纳米存储器可以变得比DRAM存储密度更高或者也更加便宜，和DRAM不一样的是，纳米存储器不需要能量去刷新。即使电源被移除它仍然会保持原来的形态。和其他的非易失存储器相比，纳米存储器有几个优点，在flash存储器中，由于flash本身的一些特性，导致flash只能有限次的写，当写到一定的次数的时候flash的性能就会出现问题。