纳电子器件（nanoelectronic device），理学-化学-物理化学-纳米物理化学-纳电子器件，器件尺寸在纳米量级的电子器件。随着信息和计算机技术的高度发展，微电子器件的集成度越来越高，单个器件的尺寸已经从一维、二维，甚至三维上都接近纳米量级。纳电子器件会出现许多新的现象，如电导量子化、库仑阻塞、共振隧穿、电子波干涉及电导的弱局域性等现象。这些现象是传统的微电子技术所不需要考虑的。一些基于上述现象的纳电子器件应运而生，在器件小型化的过程中发挥重要的作用。在器件小型化的过程中，其物理模型会发生一定的变化：①由于测不准原理，相空间的概率分布函数将不再具有统计意义；②由于电子波长和器件尺寸可比，电子会表现出波动性，而不能简单考虑其粒子性；③电子运动做出的晶体格点不再是无限大，格点起伏变得比较明显，边界效应所占比重加大；④由于相位相干长度和器件尺寸可比，电子相关性、关联性变强。纳电子器件又被称为MOS器件（金属-氧化物-半导体场效应管为主要元件构成的集成电路）。常见的纳电子器件包括量子干涉晶体管、共振隧穿器件、单电荷转移器件、量子点元胞自动机等。