单粒子栅穿（single event gate rupture；SEGR），工学-航空宇航科学与技术-航天-航天综合电子技术-航天微电子-集成电路，高能粒子引起的栅极绝缘击穿现象。是一种单粒子效应。入射离子穿透器件栅极，在N漂移区产生电子-空穴对。对于N沟道器件，栅极接地，漏极接正电压，在漂移区电场的作用下，电子沿入射离子径迹向漏极移动，空穴向栅极漂移，累积在硅/二氧化硅（Si/SiO2）界面的空穴，使氧化层上的电场瞬对增大。当该电场增量足够大，持续时间足够长时，将引起入射径迹的氧化层介质击穿。这种效应多出现在工作电压大于5伏的金氧半场效晶体管（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，MOSFET）。这些效应会造成电源电压或功率转换的剧烈波动，甚至威胁航天电子系统的生存。单粒子栅穿效应如图所示。