光腐蚀（photoetching），理学-化学-物理化学-能源化学-光腐蚀，激发的半导体与电解质溶液发生反应导致半导体结构破坏的现象。光腐蚀是导致半导体液结太阳电池和量子点太阳电池损坏的主要原因之一。抑制光腐蚀是提高这类电池寿命的实用性的关键。以硫化镉为例，硫化镉光照后产生电子-空穴对：其中空穴可以将硫化镉中-2价的硫氧化，而电子可以将硫化镉中+2价的镉还原：两个反应对应的是电极电位分别是空穴分解电位（）和电子分解电位（）。根据分解电位和半导体能带位置的相对关系可以判断半导体是否存在光腐蚀。如图所示，当空穴分解电位正于价带电位（电子能量更低时）则不发生空穴引发的光腐蚀，当电子分解电位负于导带电位（电子能量更高时）则不发生电子引发的光腐蚀。稳定的没有光腐蚀的窄禁带半导体材料还在研究中。