等离子体浸没离子注入(PIII)[1]或脉冲等离子掺杂(脉冲PIII)是通过应用高电压脉冲直流或纯直流电源，将等离子体中的加速离子作为掺杂物注入合适的基体或置有电极的半导体晶片的靶的一种表面改性技术。（PIII）或脉冲等离子掺杂（脉冲PIII）。电极对于正电性等离子体是阴极，对于负电性等离子体是阳极。等离子体可在设计好的真空室中以不同的等离子体源产生，如可产生最高离子密度和最低污染水平的电子回旋共振等离子体源，及氦等离子体源，电容耦合等离子体源，电感耦合等离子体源，直流辉光放电和金属蒸汽弧（对金属物质来说）。真空室可分为两种-二极式和三极式，前者电源应用于基体而后者应用于穿孔网格。