正装发光二极管芯片（normal light emitting diode chip），工学-电子科学与技术-半导体照明技术-半导体照明器件-发光二极管芯片，从上至下材料依次是p型半导体材料、量子阱有源区、n型半导体材料和衬底的发光二极管芯片结构。正装发光二极管芯片是最早出现的LED芯片结构，也是小功率芯片中普遍使用的芯片结构。正装结构中的p电极和n电极在芯片同一侧，位于芯片的上部。正装发光二极管芯片从上至下材料依次是p型半导体材料、量子阱有源区、n型半导体材料和衬底。其中，p型半导体材料为芯片出光面。正装发光二极管芯片电极在芯片的同一侧，容易产生电流集聚效应，减少量子阱有源区的有效面积，降低LED的发光效率。以氮化镓（GaN）基LED为例，LED芯片的n型半导体材料电流扩展优于p型半导体材料，电流集聚效应发生在p电极周围。改善正装结构LED电流扩展的芯片工艺技术主要有：p电极和n电极采用插指电极结构；p-GaN的出光区域使用透明导电电极；p电极正下方制备电流阻挡层等。为了增加正装发光二极管芯片的光提取效率，通常采用图形衬底来改善衬底与外延层的反射界面，同时在衬底背面制作反射金属层。