反射式等离子体光刻（reflective plasmonic lithography），工学-电子科学与技术-纳米电子学-等离子体纳米电子学-等离子体光刻，通过在光刻胶下方引入金属反射层结构，以提高表面等离子体光刻分辨力、对比度及焦深的等离子体光刻技术。反射式等离子体光刻的基本原理是，将金属膜反射层放置在光刻胶后方，在掩模和反射膜层之间的光刻胶区域形成强度呈悬链线分布的光场，从而有效提高成像焦深和对比度。由于在反射成像模式下，像场切向电场分量得到抑制，从而降低了它对成像对比度的负面影响，提高了成像保真度。反射式等离子体光刻模式由美国得克萨斯大学奥斯汀分校提出。通过将金属钛层放置于光刻胶后方减小光场的发散效应，从而提高了成像光刻分辨力。但由于钛金属损耗大，且不满足SP共振激发条件，其分辨力和对比度提升效果有限。中国科学院光电技术研究所王长涛等学者从反射式光学成像传递函数的角度出发，证明反射透镜成像效果主要取决于表面等离子体共振激发，成像传函增强来自掩模透射衰减函数和表面等离子体反射增强函数的叠加，在满足表面等离子体共振激发条件下，可显著提升表面等离子体成像分辨力、对比度和焦深。