MOS集成电路是以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路。简称MOSIC。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定。按晶体管的沟道导电类型，可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC，分别称为PMOS、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展，CMOS集成电路已成为集成电路的主流，工艺也日趋完善和复杂，由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金属-氧化物-半导体(CMOS)电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、