背散射-沟道效应（back scattering-channeling effect），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-半导体材料性能检测-[表面测量]，让一束单能的带电粒子（4He＋或1H＋）入射到样品上，利用它与样品表面层原子核的相互作用来分析该薄层的厚度、组分、杂质种类、含量及其分布等的技术。背散射-沟道效应是一个非常有效的分析手段，具有简单、可靠，能做定量分析而无须定标以及不破坏样品等优点。背散射实验方法自20世纪60年代末建立起来后，已在固体物理学、表面物理学、材料科学、微电子学等方面得到了广泛应用。背散射实验所需的仪器设备有：提供单能离子束的加速器，测量样品的靶室，接收粒子的探测器和做信号分析的电子学测量系统。当具有一定能量的荷电粒子入射到某一样品上时，由于受样品中物质库仑斥力的作用，粒子偏离原来的方向，发生卢瑟福弹性散射。如果散射角大于90°，粒子被散射后返回，这种现象称作背散射。入射粒子的能量，对4He＋选用2～3兆电子伏，对1H＋选用200～400千电子伏。能量过高会受核共振的影响，过低则测量的灵敏度和分辨率太低。