晶体气相生长方法（technique of crystal growth from vapor-phase），工学-材料科学与工程-无机非金属材料-晶体材料-晶体制备科学，通过升华、蒸发、分解等过程将原料转化为气态，然后在适当的条件下使原料成为过饱和蒸气，经过冷凝结晶而生长出晶体材料的方法。该方法生长的晶体纯度高、完整性好。由于晶体生长的流体相（气相）分子密度很低，气相与固相的比容相差很大，使得从气相中生长晶体的速率要比从熔体或溶液中生长的速率慢许多。所以，这种方法主要是用来生长晶须和薄膜单晶，也可以用来生长尺寸较大的体块晶体。晶体气相生长方法分为物理气相沉积和化学气相沉积两类。①物理气相沉积（PVD），在真空条件下，采用物理方法，将材料源表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体（或等离子体）的输运过程，在衬底表面沉积出薄膜晶体。主要方法有真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀，以及分子束外延等。其中，分子束外延技术用于生长高质量的硅、砷化镓和其他半导体外延层。物理气相沉积法也可以用于生长体块晶体，如碳化硅和氮化铝等。