表面牺牲层工艺（surface sacrificial layer process），工学-电子科学与技术-集成电路-集成电路工艺-封装技术，通过牺牲层的释放形成空腔上膜或其他悬空结构，可以制造出多种活动的微结构的工艺技术。在微电子领域，表面牺牲层工艺被广泛运用于互补金属氧化物半导体（complementary metal oxide semiconductor，CMOS）集成电路及微电子机械系统（micro-electromechanical system，MEMS）结构中。常用的牺牲层材料有光刻胶、多晶硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、金属及高分子聚合物等。