外延生长工艺

外延生长工艺，利用晶体界面上的二维结构相似性成核的原理，在一块单晶片上，沿着其原来的结晶轴方一向再生长一层晶格完整、且可以具有不同的杂质浓度和厚度的单晶层的工艺。