迁移增强外延

迁移增强外延（migration enhanced epitaxy，MEE），材料科学技术名词，在Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜材料的分子束外延生长过程中，使Ⅲ族金属原子束流与Ⅴ族原子(分子)束流在较低的温度下交替喷射到生长晶体表面，获得原子级平整度薄膜晶体外延生长的技术。