量子点红外探测器(QDIP)在红外探测领域具有十分广阔的应用前景,同时由于QDIP的有效载流子寿命长、暗电流低、工作温度高、对垂直入射光响应等优势,近年来高性能QDIP已经成为研究的热点。量子点结构的生长技术是QDIP研究的基础。低维半导体结构的发展很大程度上依赖于材料先进生长技术(分子束外延技术、金属有机化合物化学气相沉积技术等)和精细加工工艺(聚焦电子、离子束和X射线光刻技术等)的进步。上个世纪90年代,人们开发了无损伤的低维半导体材料的制备方法,就是利用不同材料的晶格失配而产生的应力,通过Stranski-Krastanow(S-K)生长模式来获得无缺陷、无位错和尺寸均匀的量子点,即所谓