抑制性突触后电位

抑制性突触后电位(Inhibitorypostsynapticpotential,IPSP)是突触前膜释放抑制性递质(抑制性中间神经元释放的递质)，导致突触后膜主要对Cl通透性增加，Cl内流产生局部超极化电位。突触后膜在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元的兴奋下降，这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为抑制性递质作用于突触后膜，使盾膜上的配体门控CI通道开放，引起CI内流，突触后膜发生超极化。(1)突触前膜释放递质是Cl-内流引发的;