薄层厚度测量技术

多数半导体器件和集成电路的主体结构，由各种形状和尺寸的薄层构成。这些薄层主要有二氧化硅、氮化硅、外延层、掺杂扩散层、离子注入层、金属膜和多晶硅膜等。其厚度很薄，一般在数十埃至几微米范围内。为适应各种成分和结构的薄层的测厚要求，已研制成各种测量设备。例如，采用比色法、干涉条纹法以及椭偏术等测量各种透明薄膜;采用磨角染色法、层错法、红外光反射法以及背散射技术等检验外延层厚度、扩散层和离子注入层的深度;采用间接干涉法和台阶仪等测量金属膜和多晶硅的厚度等。