化学气相淀积方法简称CVD法，是以气相原材料经化学反应而淀积固体薄膜的方法。由于制备的薄膜能与基体紧密附着，且几乎对基体的几何形状没有依赖关系，改变气体成分或淀积条件(如温度、气压等)，即可改变成膜的化学或物理性质，对厚度又易于实施控制，因而CVD方法在材料研制过程中得到了广泛的应用。按照反应条件，CVD法可主要区分为下列5点：①常压CVD，即反应气体压力为1大气压左右，反应装置无须减压或加压设备，简便易行，通常通过温度来调节反应速率。②低压CVD(LPCVD)，反应压力通常为数百帕，调节压强也能改变成膜速度。③光诱导CVD(PICVD)，通过入射光的作用而诱导化学反应成膜。④等离子增强CVD(PECVD)，通过施加电磁场(直流、交流、射频等)促使反应气体电离从而高速成膜或通过其他手段直接通入等离子体成膜的方法。⑤金属有机化合物气相淀积方法(MOCVD)，采用金属有机化合物气相源的CVD方法。该法可制备结构精细的多层金属或半导体膜是当代微电子技术的一种重要手段。