电位门通道
(电子技术)
电位门通道(voltage?gated?channel)是对细胞内或细胞外特异离子浓度发生变化时,或对其他刺激引起膜电位变化时,致使其构象变化,“门”打开。K+电位门通道由四个α亚单位(I-IV)构成,每个亚单位均有6个(S1-S6)跨膜α螺旋节段,N和C端均位于胞质面。连接S5-S6段的发夹样β折叠?(P区或H5区),构成通道的内衬,大小可允许K+通过。
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