雪崩型探测器材料（avalanche detector materials），工学-材料科学与工程-电子信息材料-光电子材料-光电探测器材料-光生伏打型探测器材料，在高偏压作用下，耗尽区能产生载流子雪崩倍增效应的光生伏打型探测器材料。制成的雪崩型探测器，可进行光和辐射的探测或测量。雪崩型探测器材料除利用半导体材料的光生伏打效应外，还利用材料耗尽区的载流子雪崩倍增效应，即内部电流增益。常用的有3种结构（见图）。以InGaAs/InP体系材料为例：同质结型（图a），吸收区、倍增区分开型（SAM，图b），吸收区、倍增区由梯度区分开型（SAGM，图c）。常见雪崩型探测器材料结构光纤通信中常用的3种雪崩型探测器材料为硅（Si）、锗（Ge）和In0.53Ga0.47As。为得到响应度高、信噪比高的器件，用能带工程设计的新型结构有以下3种。①渐变带隙雪崩型探测器材料。设计材料组分渐变的，使能带有斜度，造成对空穴和电子的作用力不同，影响两种载流子碰撞离化系数，以降低探测器噪声。但要考虑对器件增益的影响。②超晶格雪崩型探测器材料。