切克劳斯基拉晶法（Czochralski method），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔半导体材料〕，利用籽晶从坩埚熔体中提拉制备单晶的方法。又称直拉法。由波兰人J.切克劳斯基[注]于1918年用此法测定结晶速率而得名。切克劳斯基拉晶法基本工艺是将原料装在坩埚内加热熔化。将一个切成特定晶向的细单晶（称为籽晶）的端部，浸入溶体并使其略有熔化。然后，控制合适温场，缓慢地将籽晶垂直提升，通常过程包括引晶、缩颈、放肩、等径控制，拉出的液体固化成为单晶。通常直拉法生长出的单晶是接近圆柱形的。直拉法晶体生长设备的炉体，一般由金属（如不锈钢）制成。利用籽晶杆和坩埚杆分别夹持籽晶和支承坩埚，并能旋转和上下移动，坩埚一般用电阻或高频感应加热。制备半导体和金属时，用石英、石墨和氮化硼等作为坩埚材料；而对于氧化物或碱金属、碱土金属的卤化物，则用铂、铱或石墨等作坩埚材料。炉内气氛可以是惰性气体也可以是真空。使用惰性气体时压力一般是一个大气压，也有用减压的。对于高蒸气压材料则用高压（几十个大气压）。