三代微光像增强器（third generation low light level LLL) image intensifier），工学-光学工程-光学应用-光学测量-微光夜视技术-微光夜视成像器件-外光电效应型成像器件，双近贴聚焦电子光学系统的MCP像增强器，由透射式NEA（负电子亲和势）GaAs 光电阴极组件、带Al2O3离子壁垒膜的三代MCP和光纤面板荧光屏组件构成，光电阴极与MCP之间、MCP与荧光屏之间都为近贴结构。技术特色三代微光像增强器具有三大技术特色：①负电子亲和势（NEA) GaAs光电阴极。这种光电阴极的真空能级低于半导体内导带底能级（负电子亲和势），且受光子激发到导带的电子通过与晶格声子交换能量“热化”到导带底，进而逸入真空产生光子电流。NEA光电阴极，具有量子效率高、暗发射小、发射电子的能量分布及角分布集中，长波可调、长波响应扩展潜力大等优点，这种NEA光电阴极中的“热化电子”较二代微光PEA光电阴极中的“热电子”，具有长寿命。