场效应半导体电极（field-effect transistor semiconductor electrode），理学-化学-分析化学-电化学分析法-生物燃料电池-三电极体系，利用输入电场来控制一种载流子通道形状，进而控制输出电流的半导体电极。又称场效应管电极。根据结构不同，主要分为结型场效应管电极（JFET）和绝缘栅场效应管电极（JGFET），而每一类又有N沟道和P沟道之分。1926年J.E.利林费尔德[注]和1934年O.海尔[注]分别以专利的形式提出场效应晶体管的概念，但直到1947年贝尔实验室W.B.肖克莱首次从实验上真正观察和解释场效应现象后，结构型场效应半导体电极才开始走向实际应用；绝缘栅场效应电极是姜大元[注]和M.阿塔拉[注]于1959年首次发明。所有的场效应管（FET）都有源极、漏极和栅极3个端，大多数的场效应管电极有第四端，被称为体、基、块体或衬底。