深度反应离子刻蚀（deep reactive ion etching; DRIE），工学-机械工程-机械工程基础-〔机械制造基础〕-加工制造-微纳机电系统-磁致动器，基于氟基气体的高深宽比硅刻蚀技术。深度反应离子刻蚀用于在硅晶圆或衬底上产生具有高深宽比的侧壁、沟槽、孔洞等以及深层渗透。深硅刻蚀是基于等离子体的化学反应活性，需要同时具有足够高浓度的钝化自由基和足够高浓度的氟自由基以获得高的刻蚀速率。DRIE工艺的出现对微机电系统（MEMS）技术的发展是一个巨大的推动，已广泛应用于MEMS功能器件加工、高密度电容的动态随机存储器（DRAM）、硅直通孔的晶圆级封装等。最常见的高深宽比的硅刻蚀工艺主要是刻蚀-钝化循环交替进行的低温干法刻蚀方法和“Bosch工艺”方法。