氧化物分子束外延（oxide molecular-beam epitaxy; OMBE），理学-物理学-凝聚态物理学-表面物理学，一种可以实现氧化物单晶薄膜生长的分子束外延技术。分子束外延（MBE）技术由于其无与伦比的薄膜生长控制精度常常被称作“原子喷印术”。其基本原理是在超高真空的环境中，利用热蒸发等各种手段形成中性分子束流并沉积到单晶衬底上。形成的薄膜将会延续衬底的晶格结构并同时具有可准确调控的化学成分，形成所谓的外延生长。这种实验手段在20世纪70年代最早应用于高纯度半导体薄膜的生长；而在此基础上，通过在生长的过程中引入合适分压的氧化剂，例如O2、O3、 NO2等，原则上可以实现氧化物单晶薄膜的分子束外延生长。